LTspice 트랜지스터(BJT, MOSFET) 모델 파라미터 기입방법

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MOSFET 3단자 (주로 실험에 사용)

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3단자 MOSFET는 벌크 단자가 소스에 같이 연결 되어있습니다.

 

사진 1. 3단자 MOSFET 소자

 

왜 실험에 주로 사용이 되냐면 W/L을 변경할 수 없기에 실험에 사용됩니다

(실험에서 사용한 소자와 동일한 파라미터는 아니지만 실험용 소자는 벌크 단자가 없음 G, D, S만 존재함)

 

1. NMOS

.model NMOS NMOS(LEVEL=1 VTO=2 KP=40e-3 TOX=0.4E-9  LAMBDA=0.4 CJ=3e-4 MJ=0.35 CJSW=40e-9 MJSW=0.3)

2. PMOS

.model PMOS PMOS (LEVEL=1 VTO=-2.7 KP=10e-3 TOX=0.4E-9 LAMBDA=0.5 CJ=3e-4 MJ=0.35 CJSW=35e-9 MJSW=0.3)

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4단자 MOSFET (주로 과제에 사용)

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4단자 MOSFET는 벌크 단자가 있습니다.

 

사진 2. 4단자 MOSFET PMOS4, NMOS 4를 사용

 

4단자를 과제에 사용하는 이유는 W/L을 변경할 수 있기 때문입니다.

 

사진 3. 4단자 MOSFET를 우클릭 하면 보이는 창

 

 

1. NMOS4 (W/L 변화 가능)

.model NMOS NMOS (LEVEL=1 VTO=0.5 KP=3.1e-3 TOX=0.4E-9 LAMBDA=0.4 CJ=3e-4 MJ=0.35 CJSW=40e-9 MJSW=0.3)

2. PMOS4 (W/L 변화 가능)

.model PMOS PMOS (LEVEL=1 VTO=-0.55 KP=1.2e-3 TOX=0.4E-9 LAMBDA=0.5 CJ=3e-4 MJ=0.35 CJSW=35e-9 MJSW=0.3)

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BJT (실험, 과제 동일하게 사용)

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사진 4. BJT 모델

 

기본 NPN, PNP 이용

.model NPN NPN(IS=5e-16 BF=100 VAF=5)

.model PNP NPNP(IS=8e-16 BF=50 VAF=3.5)

 

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파라미터 기입 방법

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감사의 글

 
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