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실험 관련/전자회로 실험

공통 소스 증폭기(Common - Source amplifier) 실험 해설

by 배고픈 대학원생 2021. 5. 7.
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안녕하세요 배고픈 노예입니다.

오늘은 공통 소스 증폭기실험에 대한 해설을 하려 합니다.

 

이번 실험의 주제는 아래와 같습니다.

 



실험 목표

 

1. 대신호와 소신호의 분류

 

2. 실험 회로 해석

 

3. 실험 오차

 


 

 


 대신호와 소신호의 간단한 분류



흔히 우리가 어떠한 능동 소자 (active device)를 실험할 때 항상 같은 방법으로 실험을 하고 있지만 저도 또한 학부때는 생각 없이 DC 몇~ AC 몇~ 해서 실험을 했었는데

 

전자회로 실험에서 크게 분류되는 두 실험은 "대신호(Large Signal)" 와 "소신호(Small Signal)"로 나뉩니다.

 

그러면 대신호와 소신호의 정의를 정말 간단하게 생각했을 때 이 둘을 판가름 하는 방법은 그냥 DC와 AC 입니다.

 

 


실험 회로


 MOS amp의 CS

 


실험회로의 구성원들 해석

 

위 사진에서 Vsig는 AC 신호를 인가하는 단자(port)라고 보시면 되고 VGG는 DC 서플라이에서 공급되는 전압입니다

(대신호 해석을 할때는 DC Supply로만 실험을 하지만, AC를 인가하면 Function Generator로 DC를 인가해주기 때문에 DC supply 는 AC를 인가할 때 사용하지 않습니다.)

 

RGG는 입력되는 Supply에서 생기는 공급 전압 저항을 의미한 것입니다.

Rd는 부하 저항입니다 아랫첨자 "D"의 의미는 드레인 쪽에 저항이 있기 때문에 Rd로 표현을 하게 된 것입니다.


 

구성원들을 해석을 했으니 이제 대신호와 소신호에 대해서 알아봐야 하는데 대신호와 소신호는 중요한 부분이니 꼼꼼히 읽어보시기 바랍니다.


대신호는 무엇을 확인 할 수 있을까?

 

1. 출력 전압(Vo, 또는 Vout)을 확인 할 수 있고

 

2. 게이트 전압의 변화 폭이 크다면 동작 영역도 다를테니까요 

 

(Vdd는 고정된 값) 게이트의 전압, 저항의 값을 변경하면 Vout의 결과도 달라집니다. 출력 전압은 아래와 같습니다.

$$V_{out}=V_{DD} - I_D * R_D ... Eq(1)$$

 

식(1)에서 "부하저항"과 전류의 양에 다라 달라짐을 알 수 있는데 전류의 양을 조절하려면 게이트의 전압을 통해 조절할 수 있고, 부하저항이 가변(variable)이 된다면 출력 전압이 바뀔 수 있겠죠

 

게이트 전압을 증가시켰을 때 생기는 변화(0 V 부터 10V 까지)

 

부하 저항의 값을 증가시켰을 때 변화(1k 부터 100k까지)

게이트 전압에 따라 전류의 양이 바뀐다는 건 "MOSFET특성" 실험에서 알 수 있었죠, 이해가 가지 않았던 분들은 아래 링크를 참고하시기 바랍니다.

 

2021.07.14 - [실험 관련/전자회로 실험] - MOSFET의 동작 영역과 드레인 전류의 변화를 알아보자(실험 해설)

 

MOSFET의 동작 영역과 드레인 전류의 변화를 알아보자(실험 해설)

안녕하세요 배고픈 노예입니다. 이번 방학의 목표는 전자회로 2 과정의 실험을 다 적기로 하였는데 드디어 전자회로 실험 2의 첫 걸음인 MOSFET 특성에 대해 알아보도록 하겠습니다. 전자회로 2 실

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따라서 대신호는 직류 해석(dc analysis) 또는 바이어스 해석(bias analysis)라고 생각할 수 있습니다.


소신호에서는 무엇을 확인 할 수 있을까?

 

MOSFET가 포화 영역(Saturation region)에 동작할 수 있게 바이어스를 설정하고 나서 "소신호" 등가회로(small signal equivalent circuit)를 통해 알 수 있는 전압 이득은 아래와 같습니다.

 

$$v_{out} = -g_mR_Dv_{in} ... Eq.(2)$$

 

식 2의 의미는 출력 전압은 입력 전압,트랜스컨덕턴스와 출력저항(Rout=Rd)의 곱만큼 위상이 반전되서 나옴을 알 수 있습니다.

(위 식은 채널길이 변조효과, body effect를 고려하지 않은 결과입니다.)

 

그 다음으로 증폭기에서 다루는 것이 전압이득이죠, 전압이득(출력전압과 입력전압의 비)로로 트랜스 컨덕턴스와 부하저항의 곱으로 표현 할 수 있습니다.

$$Av = \frac{v_{out}}{v_{in}}|=-g_mR_D... Eq.(3)$$

 

전압이득이 2인 회로를 구성하여 LTspice를 통해 시뮬레이션을 돌린 결과입니다.

모스 전류가 너무 낮게 흘러서 2배까지만

전압 이득은 주로 dB로 표현하게 되는데 이는 작은값을 크게 볼 수 있고, 큰 값은 작게 보이게 하기 위해서입니다.

dB의 표현은 아래와 같습니다.

 

$$A_{v,dB} = 20log(\frac{v_{out}}{v_{in}}|) ... Eq.(4)$$

 

시뮬레이션 과정에 대해 궁금하신 분들은 아래의 링크에 DC부터 AC까지 모든 과정이 담겨 있습니다.

 

2021.07.15 - [시뮬레이션 툴(Simulation Tool)/LTSpice] - LTspice를 이용한 공통 소스 증폭기 시뮬레이션

 

LTspice를 이용한 공통 소스 증폭기 시뮬레이션

안녕하세요 배고픈 노예입니다. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 시뮬레이션에 대해 진행해 볼게요. 사용되는 기능들은 .step param, dc sweep, transient 가 사용되었습니다. 아래의 시뮬레이션 과

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도움이 되는 정보

 

전압 이득의 표현에 대해 더 궁금하신 분들은 아래의 링크를 참조해주세요

2021.07.02 - [전자회로의 이해/Basic] - 전자회로에서 표현하는 증폭기란?

 

전자회로에서 표현하는 증폭기란?

이번 포스팅에서는 증폭기란 개념에 대해 알아보도록 하겠습니다. 목차는 아래와 같습니다. 목차 1. 증폭기는 왜 필요할까? 2. 증폭기의 심볼과 수식 3. 데시벨(decibel) 표현 증폭기는 왜 필요할까?

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전자회로 실험의 모든 과정은 아래 페이지를 통해 확인해 주세요

 

2021.07.15 - [분류 전체보기] - 전자회로 실험 Syllabus

 

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