반응형 MOSFET CGS1 MOSFET의 커패시턴스 성분을 알아보자 낮은 주파수에서 MOSFET 회로 해석을 할 때는 MOSFET 내부에 있는 기생 커패시턴스값이 매우 작기 때문에 무시하고 넘어갔다. 주파수가 점점 올라가면서 기생 커패시턴스(Parasitic capacitance)가 mosfet 회로의 성능을 감소시키게된다. LNA, Mixer와 같은 RF front-end 같은 경우 10 GHz 이상의 회로를 설계할 때 기생 커패시턴스와 싸움을 하게된다. MOSFET의 물리적 모델로부터 시작 물리적인 모델을 통해 MOS의 기생 커패시턴스는 아래와 같이 구분지을 수 있다. 구분 설명 C1 채널과 게이트 사이에 있는 산화 커패시턴스 C2 기판과 채널 사이에 있는 공핍 커패시턴스 C3, C4 게이트 폴리와 소스,드레인 영역과 겹침(Overlap)에 의한 커패시턴스 C5, C.. 2021. 10. 22. 이전 1 다음 반응형
