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회로 관련 전공/회로 과정 통합 글

콜피츠(Colpitts) 발진기와 클랩(Clapp) 발진기 그리고 3점 발진기에 대해

by 배고픈 대학원생 2022. 6. 22.
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콜피츠 발진기는 단일 트랜지스터로 구성하여 발진을 형성할 수 있다. 다만 이는 여러가지의 트레이드 오프를 가져온다.

 


3점 발진기 (Three-Point Oscillator)


 

3점 발진기에서 알 수 있는 것은 콜피츠 발진기와 클랩 발진기에 대해 대략적으로 알 수 있다.

 

2022.05.05 - [회로 관련 전공/회로 과정 통합 글] - 음의 저항(Negative Resistance)과 1-단자 관점에서의 발진기

 

음의 저항(Negative Resistance)과 1-단자 관점에서의 발진기

이 글은 LC 발진기의 기초적인 내용을 다루고 있다. 이전 진도 2022.04.05 - [회로 관련 전공/회로 과정 통합 글] - 병렬 LC 탱크(Parallel LC Tank)와 손실 탱크(Lossy Tank) 병렬 LC 탱크(Parallel LC Tank)와..

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위 내용을 읽고 넘어가야 완만한 이해가 가능할 것으로 예상된다.

 

복습 1. 위 링크에서 언급된 음의 임피던스를 구하기 위한 방법

 

복습 1에 보이는 회로에서 발진기를 만들 수 있게 만드려면 노드 X, Y 사이에 인덕터를 연결하면 만들 수 있음을 지난 교차 결합 발진기에서 알 수 있었다. 그리고 이전 링크를 통해서 알 수 있는 중요한 발진 주파수에 대해서는 아래와 같이 정리가 되었다.

 

복습 식 1. (중요)

 

그리고 gmRp에 대해서는 아래와 같이 언급했었다.

 

복습 식 2. (중요)

 

C1=C2 일때 회로가 발진하려고 한다면

 

복습 식 3.

 

따라서 발진을 하려면 4 이상의 루프 이득이 필요함을 알 수 있다.

이전 포스팅(교차 결합 발진기)에서는 gmRp가 1 이상이면 발진 할 수 있었다. 이는 CMOS 공정에서 낮은 Quality Factor (Q) 값을 가지게 된다면 심각한 문제를 가져오는 점을 알 수 있다.

 

아래 세가지 방법으로 트랜지스터의 단자를 접지하여 각기 다른 모습의 발진기 구조을 알 수 있다. 이는 아래와 같다.

 

1) 소스 접지 (Source Grounded)

그림 1은 소스 접지 발진기를 보여준다.

그림 1. 소스 접지

 

그림 1의 소스 접지가 어떻게 발진 할 수 있는지는 지난 피드백 단원에서 루프 이득을 해석했던 절차를 이용해 알 수 있다.

 

그림 1-1. 과정 1

 

처음 언급 했던 복습 링크에서의 Rs는 아래와 같음을 언급했고, 발진 주파수 또한 복습 식 1과 동일하게 나온다.

 

식 1

 

2) 콜피츠 발진기(게이트 접지, Gate-Grounded)

 

그림 2. 게이트 접지 = 콜피츠 발진기

 

게이트 접지의 의미는 바이어스 전압 (Vb)이 인가되고 있으며 이는 소신호 해석에서는 ac 접지가 된다.

L1에 기생성분인 Rp, Cp가 있음을 알 수 있고 이에 대해 발진 주파수는 아래와 같이 표현할 수 있다.

 

식 2.

 

루프 이득의 발진 조건은 복습 식 3과 같다.

3) 클랩(Clapp) 발진기(드레인 접지, Drain-Grounded)

 

그림 3. 드레인 접지 = 클랩 발진기

 

클랩 발진기는 드레인 접지라고도 불리며 이는 VDD와 드레인이 연결 되어 있고 VDD는 소신호 관점에서 ac 접지임을 알 수 있다.

 

발진 조건, 발진 주파수는 복습 식 3, 복습 식 1, 식 2에서 알 수 있다.

 


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